PECVD設(shè)備主要用于在各種材料表面沉積薄膜，包括金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等。通過(guò)控制反應(yīng)條件，如溫度、壓力、氣體流量以及等離子體的能量密度等，可以在襯底上形成具有特定性質(zhì)的薄膜。PECVD技術(shù)可以在低溫下制備高質(zhì)量的薄膜，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能。這些薄膜可以用于改善材料的表面性質(zhì)，如耐磨性、耐腐蝕性、光學(xué)性能等。